عنوان	بهبود کارایی لیزرهای چاه کوانتومی چندگانه InGaN با قراردادن لایه نازک چهارتایی AlInGaN با شکاف انرژی پهن میان لایه‌های چاه و دیواره کوانتومی
نوع پژوهش	مقاله ارائه‌شده در همایش
کلیدواژه‌ها	لیزر چاه کوانتومی InGaN، لایه نازک AlInGaN با شکاف انرژی پهن، بازترکیب اوژه، خواص الکتریکی و اپتیکی، شبیه سازی عددی
چکیده	در این مقاله، تأثیر افزودن لایه‌های نازک AlGaN و یا AlInGaN اطراف لایه‌های چاه کوانتومی چندگانه (MQWs) InGaN LDs مورد مطالعه قرار گرفته است. نتایج شبیه‌سازی نشان می‌دهد که استفاده از لایه‌های نازک AlGaN بین لایه‌های دیواره کوانتومی اصلی و چاه کوانتومی، ویژگی‌های الکتریکی و اپتیکی لیزر مانند راندمان کوانتومی دیفرانسیلی (DQE) و شیب کارایی را بطور قابل‌توجهی بهبود می‌دهد. با این وجود،‌ در این ساختار شاهد افزایش جریان آستانه و کاهش توان خروجی خواهیم بود، که این اتفاق می تواند به دلیل افزایش بازترکیب اوژه ناشی از افزایش بار فضایی محصور شده بین لایه اضافه شده به ساختار و لایه های چاه کوانتومی باشد. نتایج نشان می‌دهد که استفاده از لایه‌های نازک AlInGaN با شکاف انرژی پهن نه تنها محصور شدن حامل‌ها را افزایش می‌دهد، بلکه به دلیل عدم تطابق شبکه کمتر بین دو لایه که منجر به کاهش میدان پلاریزاسیون داخلی می‌شود، بازترکیب اوژه و بار فضایی سطح مشترک را نیز کاهش می‌دهد. لیزرهای دیودی پیشنهادی با لایه‌های نازک AlInGaN اطراف چاه کوانتومی، DQE، شیب کارایی و توان خروجی را افزایش داده و جریان آستانه را کاهش می دهند.
پژوهشگران	مریم امیرحسینی (نفر اول)، سارا حشمتیان (نفر سوم)، Gunaseelan Mani Gunaseelan Mani1 (نفر دوم)